ESMT晶豪F59L2G81XA-25TG2B閃存芯片

　　特征

　　? 供電電壓：（ 至 ）

　　? 開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 兼容1

　　? 單層單元（SLC）技術(shù)

　　? 組織

　　– 頁面大小：2176 字節(jié)（2048 + 128 字節(jié)）

　　– 塊大小：64 頁（128K + 8K 字節(jié)）

　　– 平面大小：2 個(gè)平面 x 每個(gè)平面 1024 個(gè)塊

　　– 設(shè)備大小：2048 塊

　　? 異步 I/O 性能

　　– tRC/tWC：25ns

　　? 陣列性能

　　– 閱讀頁面：25us

　　– 程序頁面：200us (TYP)

　　– 擦除塊：2ms（典型值）

　　? 命令集：ONFI NAND Flash 協(xié)議

　　? 高級命令集

　　– 程序頁面緩存模式

　　– 讀取頁面緩存模式

　　– 區(qū)塊鎖定（區(qū)塊 47:0）

　　– 一次性可編程 (OTP) 模式

　　– 可編程驅(qū)動強(qiáng)度

　　– 雙平面命令（僅在 ECC 關(guān)閉時(shí)可用）

　　– 讀取 ID

　　- 塊鎖

　　– 內(nèi)部數(shù)據(jù)移動

　　操作狀態(tài)字節(jié)提供軟件方法

　　檢測

　　– 操作完成

　　– 通過/失敗條件

　　– 寫保護(hù)狀態(tài)

　　? Ready/Busy# (R/B#) 提供了一種硬件方法

　　檢測操作完成

　　? WP 寫保護(hù)整個(gè)設(shè)備

　　? 出廠時(shí)帶有 ECC 的 Block 0 有效。為了

　　所需的 ECC，請參閱錯(cuò)誤

　　(FFh) 需要作為個(gè)命令

　　上電后

　　? 上電后個(gè)命令需要 RESET (FFh)

　　? 支持的內(nèi)部數(shù)據(jù)移動操作

　　從中讀取數(shù)據(jù)的平面

　　? 質(zhì)量和可靠性

　　– 數(shù)據(jù)保留：符合 JESD47G

　　– 耐久性：100,000 次編程/擦除周期

　　– 附加：非循環(huán)數(shù)據(jù)保留：10 年

　　? 工作溫度

　　– 商業(yè)：0°C 至 +70°C

　　NAND 閃存設(shè)備包括用于高性能 I/O 操作的異步數(shù)據(jù)接口。這些設(shè)備使用高度

　　多路復(fù)用 8 位總線 (I/Ox) 以傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)。有五個(gè)控制信號用于實(shí)現(xiàn)異步數(shù)據(jù)接口：CE CLE、ALE、WE# 和 RE 附加信號控制硬件寫保護(hù)和監(jiān)控設(shè)備狀態(tài) (R/B#)。

　　這個(gè)硬件接口創(chuàng)建了一個(gè)低引腳數(shù)的設(shè)備，其標(biāo)準(zhǔn)引腳排列從一個(gè)密度到另一個(gè)密度保持不變，

　　無需重新設(shè)計(jì)電路板即可實(shí)現(xiàn)未來升級到更高密度。

　　目標(biāo)是由芯片使能信號訪問的存儲器單元。一個(gè)目標(biāo)包含一個(gè)或多個(gè) NAND 閃存芯片。一個(gè) NAND 閃存芯片是可以獨(dú)立執(zhí)行命令和報(bào)告狀態(tài)的最小單元。在 ONFI 規(guī)范中，NAND 閃存芯片是稱為邏輯單元（LUN）。每個(gè)芯片使能信號至少有一個(gè) NAND Flash die。有關(guān)詳細(xì)信息，請參閱設(shè)備和陣列組織。