產品簡介
技術參數品牌：DIODES型號：2N7002DW-7-F數量：114000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-363-6晶體管極性：N-Channel通道數量：2ChannelVds-漏源極擊穿電壓：70VId-連續漏極電流：230mARdsOn-漏源導通電阻：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | 2N7002DW-7-F |
| 數量： | 114000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-363-6 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 70 V |
| Id-連續漏極電流： | 230 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 400 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 正向跨導 - 最小值： | 80 mS |
| 高度： | 1 mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | 2N7002DW |
| 晶體管類型： | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 典型關閉延遲時間： | 7 ns |
| 典型接通延遲時間： | mm |
| 寬度： | 00 mg |
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