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拼音：báomó

英文釋義：[thin film；film]

由薄膜產生的干涉。薄膜可以是透明固體、液體或由兩塊玻璃所夾的氣體薄層。入射光經薄膜上表面反射后得束光，折射光經薄膜下表面反射，又經上表面折射后得第二束光，這兩束光在薄膜的同側，由同一入射振動分出，是相干光，屬分振幅干涉。若光源為擴展光源（面光源），則只能在兩相干光束的特定重疊區才能觀察到干涉，故屬定域干涉。對兩表面互相平行的平面薄膜，干涉條紋定域在無窮遠，通常借助于會聚透鏡在其像方焦面內觀察；對楔形薄膜，干涉條紋定域在薄膜附近。

薄膜干涉中兩相干光的光程差公式為

式中n為薄膜的折射率；t為入射點的薄膜厚度；θt為薄膜內的折射角；±λ/2 是由于兩束相干光在性質不同的兩個界面（一個是光疏-光密界面，另一是光密-光疏界面）上反射而引起的附加光程差。薄膜干涉原理廣泛應用于光學表面的檢驗、微小的角度或線度的精密測量、減反射膜和干涉濾光片的制備等。

等傾干涉和等厚干涉是薄膜干涉的兩種典型形式。

由薄膜上、下表面反射（或折射）光束相遇而產生的干涉．薄膜通常由厚度很小的透明介質形成．如肥皂泡膜、水面上的油膜、兩片玻璃間所夾的空氣膜、照相機鏡頭上所鍍的介質膜等．比較簡單的簿膜干涉有兩種，一種稱做等厚干涉，這是由平行光入射到厚度變化均勻、折射率均勻的薄膜上、下表面而形成的干涉條紋．薄膜厚度相同的地方形成同條干涉條紋，故稱等厚干涉．牛頓環和楔形平板干涉都屬等厚干涉．另一種稱做等傾干涉．當不同傾角的光入射到折射率均勻，上、下表面平行的薄膜上時，同一傾角的光經上、下表面反射（或折射）后相遇形成同一條干涉條紋，不同的干涉明紋或暗紋對應不同的傾角，這種干涉稱做等傾干涉．等傾干涉一般采用擴展光源，并通過透鏡觀察．

把兩塊干凈的玻璃片緊緊壓疊，兩玻璃片間的空氣層就形成空氣薄膜．用水銀燈或納燈作為光源，就可以觀察到薄膜干涉現象．如果玻璃內表面不很平，所夾空氣層厚度不均勻，觀察到的將是一些不規則的等厚干涉條紋，通常是一些不規則的同心環．若用很平的玻璃片（如顯微鏡的承物片）則會出現一些平行條紋．手指用力壓緊玻璃片時，空氣膜厚度變化，條紋也隨之改變．根據這個道理，可以測定平面的平直度．測定的精度很高，甚至幾分之一波長那么小的隆起或下陷都可以從條紋的彎曲上檢測出來．若使兩個很平的玻璃板間有一個很小的角度，就構成一個楔形空氣薄膜，用已知波長的單色光入射產生的干涉條紋，可用來測很小的長度．

利用薄膜干涉還可以制造增透膜。在照相機、放映機的透鏡表面上涂上一層透明薄膜，能夠減少光的反射，增加光的透射，這種薄膜叫做增透膜。平常在照相機鏡頭上有一層反射呈藍紫色的膜就是增透膜。

薄膜的品種分類沒有統一的規定。通常人們習慣的分類方式有以下三種：

⑴按薄膜成型所用原料分類：有聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜和聚酯薄膜等。

⑵按薄膜用途分類：有農用薄膜（這據農膜的具體用途，又可分為地膜和大棚膜）；包裝薄膜（包裝膜按其具體用途，又可分為食品包裝膜和各種工業制品用包裝膜等）及用于特殊環境、具有特殊用途的透氣薄膜，水溶薄膜及具有壓電性能的薄膜等。

⑶按薄膜的成型方法分類：有擠出塑化、然后吹塑成型的薄膜，稱為吹塑薄膜；經擠出塑化，然后熔融料從模具口流延成型的薄膜，稱為流延薄膜；在壓延機上由幾根輥筒輾壓塑化原料制成的薄膜，稱為壓延薄膜。

名稱：釔（Y）

三氧化二釔，（Y2O3）使用電子槍蒸鍍，該材料性能隨膜厚而變化，在500nm時折射率約為1.8，用作鋁保護膜極其受歡迎，特別相對于800-12000nm區域高入射角而言，可用作眼鏡保護膜，且24小時暴露于濕氣中，一般為顆粒狀和片狀。

透光范圍（nm) 折射率（N) 500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 蒸氣成分

250--8000 1.79 2300--2500 電子槍 防反膜，鋁保護膜

名稱：二氧化鈰（CeO2）

使用高密度的鎢舟皿（較早使用）蒸發，在200℃的基板上蒸著二氧化鈰，得到一個約為2.2的折射率，在大約3000nm有一吸收帶其折射率隨基板溫度的變化而發生顯著變化，在300℃基板500nm區域折射率為2.45，在波長短過400nm時有吸收，傳統方法蒸發缺乏緊密性，用氧離子助鍍可取得n=2.35（500nm）的低吸收性薄膜，一般為顆粒狀，還可用一增透膜和濾光片等。

透光范圍（nm) 折射率（N) 500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

400--16000 2.35 約2000 電子槍 防反膜， 多

名稱：氧化鎂（MgO)

必須使用電子槍蒸發因該材料升華，堅硬耐久且有良好的紫外線（UV）穿透性，250nm時n=1.86，190nm時n=2.06， 166nm時K值為0.1， n=2.65。可用作紫外線薄膜材料。MGO/MGF2膜堆從200nm---400nm區域透過性良好，但膜層被限制在60層以內（由于膜應力）500nm時環境基板上得到n=1.70。由于大氣CO2的干擾，MGO暴露表面形成一模糊的淺藍的散射表層，可成功使用傳統的MHL折射率3層AR膜（MgO/CeO2/MgF2）。

名稱：硫化鋅（ZnS)

折射率為2.35,400-13000nm的透光范圍，具有良好的應力和良好的環境耐久性， ZnS在高溫蒸著時極易升華，這樣在需要的膜層附著之前它先在基板上形成一無吸附性膜層，因此需要清爐，并且在溫度下烘干，花數小時才能把鋅的不良效果消除.HASS等人稱紫外線（UV）對ZNS有較大的影響，由于紫外線在大氣中導致15-20nm厚的硫化鋅膜層轉變成氧化鋅(ZNO）。

透光范圍（nm) 折射率（N) 550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 方式

400--14000 2.35 1000--1100 電子槍，鉭鉬舟 防反膜， 升華

應有：分光膜，冷光膜，裝飾膜，濾光片，高反膜，紅外膜.

名稱：（TiO?)

TiO?由于它的高折射率和相對堅固性，人們喜歡把這種高折射率材料用于可見光和近紅外線區域,但是它本身又難以得到一個穩定的結果.TiO?,Ti2O3. TiO,Ti，這些原材料氧-鈦原子的模擬比率分別為：2.0,1.67,1.5,1.0,0. 后發現比率為1.67的材料比較穩定并且大約在550nm生成一個重復性折射率為2.21的堅固的膜層，比率為2的材料層產生一個大約2.06的折射率，后面的膜層折射率接近于2.21.比率為1.0的材料需要7個膜層將折射率2.38降到2.21.這幾種膜料都無吸收性，幾乎每一個TiO2蒸著遵循一個原則：在可使用的光譜區內取得可以忽略的 吸收性，這樣可以降低氧氣壓力的限制以及溫度和蒸著速度的限制.TiO2需要使用IAD助鍍，氧氣輸入口在擋板下面.

Ti3O5比其它類型的氧化物貴一些，可是很多人認為這種材料不穩定性的風險要小一些，PULKER等人指出，最后的折射率與無吸收性是隨著氧氣壓力和蒸著溫度而改變的，基板溫度高則得到高的折射率.例如，基板板溫度為400℃時在550納米波長得到的折射率為2.63，可是由于別的原因，高溫蒸著通常是不受歡迎的，而離子助鍍已成為一個普遍采用的方法其在低溫甚至在室溫時就可以得到比較高的折射，通常需要提供足夠的氧氣以避免（因為有吸收則降低透過率），但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值（LDT).TiO2的折射率與真空度和蒸發速度有很大的關系，但是經過充分預熔和IAD助鍍可以解決這一難題，所以在可見光和近紅外線光譜中，TiO2很受到人們的歡迎. 在IAD助鍍TiO2時，使用屏蔽柵式離子源蒸發則需要200EV，而用無屏蔽柵式離子源蒸發時則需要333EV或者更少一些，在那里平均能量估計大約是驅動電壓的60%，如果離子能量超過以上數值，TiO2將有吸收.而SiO2有電子槍蒸發可以提供600EV碰撞（離子輻射）能量而沒有什么不良效應. TiO2/SiO2制程中都使用300EV的驅動電壓，目的是在兩種材料中都使用無柵極離子源，這樣避免每一層都改變驅動電壓，驅動電壓高低的選擇取決于TiO2所允許的范圍，而蒸著速度的高低取決于致密且無吸收膜所允許之范圍. TiO?用于防反膜，分光膜，冷光膜，濾光片，高反膜,眼鏡膜，熱反射鏡等，黑色顆粒狀和白色片狀，熔點：1175℃

透光范圍（nm) 折射率（N) 500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

400--12000 2.35 2000-2200 電子槍，防反膜，增透 多

TiO2用于防反膜，裝飾膜，濾光片，高反膜

Ti2O3用于防反膜 濾光片 高反膜 眼鏡膜

名稱：氟化釷（ThF4）

260-12000nm以上的光譜區域，是一種優秀的低折射率材料，然而存在放射性，在可視光譜區N從 1.52降到1.38（1000nm區域）在短波長趨近于1.6，蒸發溫度比MGF2低一些，通常使用帶有凹罩的舟皿以免THF4良性顆粒火星飛濺出去，而且形成的薄膜似乎比MGF2薄膜更加堅固.該膜在IR光譜區300NM小水帶幾乎沒有吸收，這意味著有望得到一個低的光譜移位以及更大的整體堅固性，在8000到12000NM沒有材料可以替代.

名稱： 二氧化硅（SiO2）

經驗告訴我們，氧離子助鍍（IAD)SiO將是SiO2薄膜可再現性問題的一個解決方法，并且能在生產環境中以一個可以接受的高速度蒸著薄膜.

SiO2薄膜如果壓力過大，薄膜將有氣孔并且易碎，相反壓力過低薄膜將有吸收并且折射率變大，需要充分提供高能離子或氧離子以便得到合乎需要的速度和特性，必要是需要氧氣和氬氣混合充氣，但是這是熱鍍的情況，冷鍍時這種性況不存在.

SiO2用于防反膜，冷光膜，濾光片，絕緣膜，眼鏡膜，紫外膜.

透光范圍（nm) 折射率（N) 550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

200--2000 1.46 1800-2200 電子槍，防反膜，增透 少，升華

無色顆粒狀，折射率穩定，放氣量少,和OS-10等高折射率材料組合制備截止膜，濾光片等.

名稱： 一氧化硅（SiO)

透光范圍（nm) 折射率（N) 550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

600--8000 1.55 at550nm1.8at1000nm1.6at7000nm 1200-1600 電子槍，鉭鉬舟 冷光膜裝飾膜保護膜，升華

制程特性：棕褐色粉狀或細塊狀.

熔點較低，可用鉬舟或鈦舟蒸發，但需要加蓋舟因為此種材料受熱直接升華.

使用電子槍加熱時不能將電子束直接打在材料上而采用間接加熱法.

制備塑料鏡片時，一般層是SiO，可以增加膜的附著力.

名稱：OH-5(TiO2+ZrO2）

透光范圍（nm) 折射率（N)

550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

300--8000 2.1 約2400 電子槍，

增透 一般

蒸氣成分為：ZrO,O2,TiO,TiO2

呈褐色塊狀或柱狀

尼康公司開發之專門加TS--ェート系列抗反射材料，折射率受真空度，蒸發速率，氧氣壓力的影響很大，蒸鍍時不加氧或加氧不充分時，制備薄膜會產生吸收現象，但是我們在實際應用時沒有加氧也比較好用.

名稱：二氧化鋯（ZrO2）

ZrO2具有堅硬，結實及不均勻之特性，該薄膜有是需要烘干以便除去它的吸收，其材料的純度及為重要，純度不夠薄膜通常缺乏整體致密性，它得益于適當使用IAD來增大它的折射率到疏松值以便克服它的不均勻性.純度達到99.99%基本上解決了以上的問題.SAINTY等人成功地使用ZRO2作為鋁膜和銀膜的保護膜，該膜層（指ZRO2）是在室溫基板上使用700EV氬離子助鍍而得到的.一般為白色柱狀或塊狀，蒸發分子為ZRO,O2.

透光范圍（nm) 折射率（N)

550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

320-7000 2.05

⒉0AT2000 約2500 電子槍，

增透，加硬膜

眼鏡膜保護膜 一般

制程特性：白色顆粒，柱狀，或塊狀，粉狀材料使用鎢舟或鉬舟.顆粒狀，粉狀材料排雜氣量較多，柱狀或塊狀較少.

真空度小于2*10-5Torr條件下蒸發可得到較穩定的折射率，真空度大于5*10-5Torr時蒸發，薄膜折射率逐漸變小。

蒸鍍時加入一定壓力的氧氣可以改善其材料之不均勻性。

名稱：氟化鎂（MgF2）

MGF2作為1/4波厚抗反射膜普遍使用來作玻璃光學薄膜，它難以或者相對難以溶解，而且有大約120NM真實 紫外線到大約7000nm的中部紅外線區域里透過性能良好。OLSEN，MCBRIDE等人指出從至少200NM到6000NM的區域里，2.75MM厚的單晶體MGF2是透明的，接著波長越長吸收性開始增大，在10000NM透過率降到大約2%，雖然在8000-12000NM區域作為厚膜具有較大的吸收性，但是可以在其頂部合用一薄膜作為保護層.

不使用IAD助鍍，其膜的硬度，耐久性及密度隨基板的溫度的改變而改變的.在室溫中蒸鍍，MGF2膜層通常被手指擦傷，具有比較高的濕度變化.在真空中大約N=1.32，堆積密度82%，使用300（℃）蒸鍍，其堆積密度將達到98%,N=1.39它的膜層能通過消除裝置的擦傷測試并且溫度變化低，在室溫與300（℃）之間，折射率與密度的變化幾乎成正比例的. 在玻璃上冷鍍MGF2加以IAD助鍍可以得到300（℃）同等的薄膜，但是125-150EV能量蒸鍍可是的.在塑料上使用IAD蒸鍍幾乎強制獲得合理的附著力與硬度.經驗是MGF2不能與離子碰撞過于劇烈.

透光范圍（nm) 折射率（N)

550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

2000-7000 1.38

⒈35AT200 約1100 電子槍，

鉬鉭鎢舟 增透，加硬膜

眼鏡膜 少，MGF2

（MGF2）2

制程特性：折射率穩定，真空度和速率對其變化影響小

預熔不充分或蒸發電流過大易產生飛濺，造成鏡片"木"不良.在打開檔板后蒸發電流不要隨意加減，易飛濺.基片須加熱到高的張應力

白色顆粒狀，常用于抗反射膜，易吸潮.購買時應考慮其純度.

名稱：三氧化二鋁（Al2O3）

普遍用于中間材料，該材料有很好的堆積密度并且在200-7000NM區域的透明帶，該制程是否需要加氧氣以試驗分析來確定，提高基板溫度可提高其折射率，在鍍膜程式不可理更改情況下，以調整蒸發速率和真空度來提高其折射率.

透光范圍（nm) 折射率（N)

550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

200-7000 1.63 2050 電子槍，增透，保護膜

眼鏡膜 一般，Al,O,

O2,AlO,Al2O,(AlO)2

制程特性：白色顆粒狀或塊狀，結晶顆粒狀等.

非結晶狀材料雜氣排放量高，結晶狀材料相對較少.

折射率受蒸著真空度和蒸發速率影響較大，真空不好即速率低則膜折射率變低；真空度好蒸發速率較快時，膜折射率相對增大，接近1.62

Al2O3蒸發時會產生少量的Al分子造成膜吸收現象，加入適當的O2時，可避免其吸收產生.但是加氧氣要注意不要影響到它的蒸發速率否則改變了它的折射率.

名稱：OS-10(TiO2+ZrO2）

透光范圍（nm) 折射率（N)

550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

250-7000 2.3 2050 電子槍，增透，濾光片，截止膜

一般，

制程特性：棕褐色顆粒狀. 雜氣排放較大，預熔不充分或真空度小于5*10-5Torr時蒸發，其折射率會比2.3小，幫必須充分預熔且蒸發真空度希望大于上述這數值.蒸發此種材料時宜控制衡定的蒸發速率，材料可添加重復使用，為減少雜氣排放量，盡量避免全數使用新材料.

蒸氣中的Ti和TiO和O2反應生成TiO2

常用于制備抗反射膜和SiO2疊加制備各種規格的截止膜系和濾光片等.

名稱：鍺（Ge)

稀有金屬，無毒無放射性，主要用于半導體工業，塑料工業，紅外光學器件，航天工業，光纖通訊等.透光范圍2000NM---14000NM,n=4甚至更大，937（℃）時熔化并且在電子槍中形成一種液體，然后在1400（℃）輕易蒸發.用電子槍蒸發時它的密度比整體堆積密度低，而用離子助鍍或者鐳射蒸鍍可以得到接近于松散密度.在鍺基板上與THF4制備幾十層的8000---12000NM帶通濾光片，如果容室溫度太高吸收將有重大變化，在240--280（℃）范圍內，在從非晶體到晶體轉變的過程中GE有一個臨界點.

名稱：鍺化鋅（ZnGe)

疏散的鍺化鋅具有一個比其相對較高的折射率，在500NM時N=2.6，在可見光譜區以及12000-14000NM區域具有較少的吸收性并且疏散的鍺化鋅沒有其材質那么硬.使用鉭舟將其蒸發到150℃的基板上制備SI/ZnGe及ZnGe/LaF3膜層試圖獲到長波長IR漸低折射率的光學濾鏡.

名稱：氧化鉿（HfO2）

在150℃的基板上有用電子槍蒸著，折射率在2.0左右，用氧離子助鍍可能取和得2.05-2.1穩定的折射率，在8000-12000NM區HFO2用作鋁保護膜外層好過SIO2

透光范圍（nm) 折射率（N)

550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

230-7000 2.0 2350 電子槍，增透，高反膜

紫外膜 少

無色圓盤狀或灰色顆粒狀和片狀.

名稱：碲化鉛（PbTe）

是一種具有高折射率的IR材料，作為薄膜材料在3800---40000NM是透明的，在紅外區N=5.1-5.5，該材料升華，基板板溫度250℃是有益的，健康預防是必要的，在高達40000NM時使用效果很好，別的材料常常用在超過普通的14000NM紅外線邊緣.

名稱：鋁氟化物（AlF3）

可以在鉬中升華， 在190-1000NM區域有透過性，N=1.38，有些人聲稱已用在EⅪMER激光鏡，它無吸收性，在250-1000NM區域透過性良好.ALF3是冰晶石，是NaAlF4的一個組成部分，且多年來一直在使用，但是在未加以保護層時其耐久性還未為人知.

鈰（Ce）氟化物

名稱：鈰（Ce）氟化物

Hass等人研究GeF3，他們使用高密度的鎢舟蒸發發現在500NM時N=1.63，并且機械強度和化學強度令人滿意，他們指出在234NM和248NM的吸收，而在波長大過300NM時吸收可以忽略.FUJIWARA用鉬舟蒸發CEF3和CEO2混合物，得到一個1.60---2.13的合乎需要的具有合理重復性的折射率，他指出該材料的機械強度和化學強度都令人滿意.

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

300-5000 1.63 約1500 電子槍，

鉬鉭鎢舟 增透，

眼鏡 少

名稱：氟化鈣（CaF2）

CaF2是Heavens提出來的，它可以在10-4以上的壓力下蒸發獲得一個約為1.23---1.28的折射率。可是他說最終的膜層不那么令人滿意，在室溫下蒸著氟化鈣其堆積密度大約為0.57，這與Ennos給出的疏散折射率1.435相吻合,這說明該材料不耐用并容易隨溫度變化而變化.原有的高拉應力隨膜厚增大而降低，膜厚增大導致大量的可見光散射.可以用鎢鉭舟鉬舟蒸發而且會升華，在紅外線中其穿透性超過12000nm，它沒有的致密性似乎是其利用受到限制的原因，隨著IAD蒸著氟化物條件的改善這種材料的使用前景更為廣闊.

名稱：氟化鋇（BaF2）

與氟化鈣具有相似的物理特性，在室溫下蒸鍍氟化鋇，使用較低的蒸著速度時材料的堆積密度為0.66，并且密度變化與蒸著速度增大幾乎成正比，在速度為20NM/S堆積密度高達0.83，它的局限性又是它缺乏致密性.透過性在高溫時移到更長的波長，所以它只能用在紅外膜.

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

250-15000 1.48 約1500 電子槍，

鉬鉭鎢舟 紅外膜 少

名稱：氟化鉛（PbF2）

氟化鉛在UV中可用作高折射率材料，在300nm時N=1.998，該材料與鉬鉭，鎢舟接觸時折射率將降低，因此需要用鉑或陶瓷皿.Ennos指出氟化鉛具有相對較低的應力，開始是壓力，隨著膜厚度的增加張力明顯增大，但這與蒸著速度無關.

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

250-17000 1.75 700--1000 電子槍，

鉑舟，坩鍋 紅外膜 少

名稱：鉻（Cr)

鉻有時用在分光鏡上并且通常用作"膠質層"來增強附著力，膠質層可能在5-50NM的范圍內，但在鋁鏡膜導下面，30NM是增強附著力的有效值.顆粒狀可用鎢舟蒸發而塊狀宜用電子槍來蒸發，該材料升華，但是表面氧化物可以防止它蒸發/升華，可以全用鉻電鍍鎢絲.可以用鉻作為膠質層對金鏡化合物進行韌性處理，也可在塑料上使用鉻作為膠質層.也可使用一個螺旋狀的鎢絲蒸發.它應該是所有材料中具有拉應力的材料.

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

⒈5 1300--1400 電子槍，

鉑舟，鎢舟 吸收膜分光膜導電膜加硬膜

名稱：鋁（Al)

不管是裝飾膜還是專業膜都是普遍用于蒸發/濺鍍鏡膜，常用鎢絲來蒸發鋁絲，在紫外域中它是普通金屬中反射性能一種,在紅外域中不用Cu,Ag,Au.鋁原先有一個比較高的拉應力，在不透明厚度時，該 拉應力降低到一個小的壓應力，并且蒸著以后拉應力進一步降低.其膜的有效厚度為50NM以上.

名稱：銀（Ag)

如果蒸著速度足夠快并且基板溫度不很高時，銀和鋁一樣具有良好的反射性，這是在高速低溫下大量集結的結果，這一集結同時導致更大的吸收.銀通常不浸濕鎢絲，但是往往形成具有高表面張力的液滴，它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來蒸發，從而避免液滴下掉.有人先在一個V型鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲，銀絲可以浸濕鉑絲但沒有浸濕鎢絲.

名稱：金（Au)

金在紅外線1000nm波長以上是已知材料中具有反射性的材料，作為一種貴重金屬，它具有較強的化學堅硬性，由于它的可塑性因而抗擦傷性能低，AU可用鎢或氮化硼舟皿或者電子槍來蒸發（不能與鉑舟蒸發，它與鉑很快合金）.金對玻璃表面的附著力低，因而通常使用一層鉻作為膠質層.也可用氧離子助鍍使金的附著力得到上百倍的改善，在不透明性達到即中止IAD，并且最后的薄膜中不含有氧，摻氧將降低薄膜的反射率.

名稱：銦---錫氧化物和導電材料

銦-錫氧化物（ITO）和In3O5-SnO2有相對良好的導電性能和可見光穿性.這樣的薄膜在數據顯示屏和抗熱防霜裝置等方面已有很大原需求.在建筑上可用作擇光窗和可控穿透窗.ITO n=1.85 at500nm熔化溫度約1450℃.

名稱：鋁（Al)

不管是裝飾膜還是專業膜都是普遍用于蒸發/濺鍍鏡膜，常用鎢絲來蒸發鋁絲，在紫外域中它是普通金屬中反射性能一種，在紅外域中不用Cu,Ag,Au.鋁原先有一個比較高的拉應力，在不透明厚度時，該 拉應力降低到一個小的壓應力，并且蒸著以后拉應力進一步降低.其膜的有效厚度為50NM以上.

名稱：H1

透光范圍(nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

360--7000 2.1 2200-2400 電子槍，增透，眼鏡膜 少

名稱：H2

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

400-5000 2.1 2200 電子槍，增透，眼鏡膜 少

名稱：H4

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

360--7000 2.1 2200-2400 電子槍，增透，眼鏡膜濾光片 少

名稱：M1

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

300--9000 1.7 2200-2400 電子槍，增透，偏光膜 少

名稱：M2

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

210--10000 1.7 2100 電子槍，增透，偏光膜分光膜 少

名稱：M3

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

220--10000 1.8 2100 電子槍，增透，偏光膜 少

名稱：H5

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

210--10000 2.2 2100 電子槍,增透，濾光片 少

名稱：氧化鉭（Ta2O5）

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

400--000 2.1 1900--2200 電子槍，增透，干涉濾光片 少

名稱：WR--1

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

380--700 約1.5 360--450 鉬舟，頂層膜眼鏡膜 少

名稱：WR--2

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

380--700 約1.5 360--450 電子槍，鉬舟 頂層膜防水膜眼鏡膜 少

名稱：WR--3

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

380--700 約1.3 350--500 鉬舟 頂層膜保護膜眼鏡膜 少

名稱：L--5

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

300--7000 1.48 約2000 電子槍，增透，眼鏡膜 少

名稱：錐冰晶石（Na5AL3F14）

透光范圍（nm) 折射率（N)

500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量

250--14000 約1.33 800--1200 鉬舟鉭舟 濾光片，紫外膜 少

冰晶石（Na3ALF6）

默克公司研制的一系列的混合膜料

H1 高折射率：2.1---2.15 適用于防反膜和眼鏡膜

H2 高折射率： 2.1-2.15 適用于防反膜和眼鏡膜

H4 高折射率： 2.1-2.15 適用于防反膜和濾光片膜眼鏡膜

M1 中折射率： 1.65-1.7 適用于防反膜和偏光膜

⒈ H1,H2,H4可用作來生產高折射率的膜層，在250℃的基底上，2.1-2.15的折射率共有同次性.M1可用來生產中折射率的膜層.H1,H4和M1也能鍍在未加熱的基底上，折射率會下降.

⒉ H1在可見光到紫外波段內有相當高的透過率，在360NM左右有吸收，同ZRO2一樣無法從溶解狀態下被蒸發較為均勻的膜層.

⒊ H2在可見光波段內有很高的透過率，但在380NM時有截止吸收，這意味著鍍膜條件不理想時1/2光學厚度的存在吸收.H2優點在于它能從溶解狀態下被蒸發，因此有良好的同次性和均勻的膜厚.

⒋ H4在可見光波段內有很高的透過率，象H1 一樣在360NM左右有吸收，它也能從溶解狀態下被子蒸發，具有良好的同次性.

⒌ M1在從近紅外到近紫外的波段內有很好的透過率，300NM時有吸收，它也能從溶解的狀態下被子蒸發，具有良好的同次性和物質，適合于是高折射率的基底上鍍增透膜.

在塑料基底上鍍膜因為無法加熱基底，所以在膜料的選擇上倍加小心，以確保它能在低溫下形成穩定膜層，由于溫度偏低折射率也隨之降低，相應的膜層設計也應改變.

MGF2不能在低溫下被子蒸鍍，因為只有200℃以上溫度時它才能形成穩定的薄膜，因此只能選擇氧化物來蒸鍍，有些人用IAD助鍍強制性得到一個近乎堅固的膜

部分膜料在塑料基底上的折射率：

SiO2 Al2O3 M1 Y2O3 ZrO2 H1 H4 TiO2

⒈45 1.62 1.65 1.8 1.9 1.95 1.95 1.9--2

H2不能在低溫下被蒸鍍，因為它在藍光波段有吸收。

M1， H4， SiO2可以組成經典的AR膜系

的塑料基底是：

CR-39：N=1.5

PMMA: N=1.48-1.5

聚碳酸脂： N=1.59

將金屬薄層沉積到襯底或之前獲得的薄層的技術稱為表面沉積。這里的“薄”是一個相對的概念，但大多數的沉積技術都可以將薄層厚度控制在幾個到幾十納米尺度的范圍內，分子束外延技術可以得到單一原子層的結構。

沉積技術在光學儀器（消反射膜，減反射膜，自清潔表面等）、電子技術（薄膜電阻，半導體，集成電路）、包裝和現代藝術都有應用。在對薄膜厚度要求不高時，類似于沉積的技術常常被使用。例如：用電解法提純銅，硅沉積，鈾的提純中都用到了類似于化學氣象沉積的過程。

沉積技術以氣相沉積法為主，按原理可分為化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）方法和物理氣相沉積（physical vapor deposition）方法兩大類。

PVD法相對于CVD方法有的優勢，因此在金屬多層膜的制備過程中，大多采用PVD方法。

PVD方法可呈現多種不同形式，如真空蒸發沉積、濺射沉積、離子束和離子束輻照沉積、分子束外延沉積、脈沖激光沉積、離化團簇束沉積、脈沖電弧沉積等。

市場上的薄膜品種很多，但的印刷膜有BOPP，NY，PET，PE。就印刷而言，最重要的當然是薄膜的表面處理效果，NY膜是否受潮。印刷時應該制定對膜的表面張力一個膜卷一測的工藝要求。電暈效果具有時效性，放置過長時間，電暈效果可能下降幅度太多達不到印刷的要求；也可以避免由于不小心弄反膜面印刷的故障隱患。

PE膜是我們重點要關注的對象：吹膜時可能有膜卷漏掉電暈處理的；膜厚度過大或不均勻引起電暈效果不夠；吹膜是加入太多的爽滑劑或高爽滑粒料比例過大引起電暈效果大幅度下降。12~15umPET膜出現兩面的電暈效果相差不大時，容易引發印刷膜卷背粘故障。印刷膜的電暈要求：BOPP，PE≥38達因，PET≥50達因，NY≥52達因。NY膜吸水后并不會對電暈效果產生較大影響，判斷NY膜是否吸水看膜有無收縮起趨現象，剪一張膜放進烘箱幾個小時，手感是否發硬，如果有起趨，發硬等現象，則該NY膜吸水過多。在采購薄膜一定要向供應商說明該膜的用途和要求，薄膜品種細化，光說PET，NY，BOPP名字，供應商就可能有好幾個品種，但不一定都適合。

用途

該系列拉力試驗機適用于橡膠、塑料、紡織物、防水材料、電線電纜、網繩、金屬絲、金屬棒、金屬板等材料的拉伸試驗，增加附具可做壓縮、彎曲試驗。具有試驗力數字顯示，試驗速度連續可調,試樣拉斷自動停機，峰值保持等功能。

功能與特點：

1、采用高精度、全數字調速系統及精密減速機，驅動精密絲杠副進行試驗，實現試驗速度的大范圍調節，試驗過程噪音低、運行平穩。

2、萬向節采用十字插銷結構，而且具有擺角限制功能，一方面便于試樣夾持，保證試驗同心度，另一方面很好的消除了不規則試樣對傳感器的影響。

3、觸摸鍵操作方式，液晶顯示器實時顯示。顯示界面可顯示試驗方法選擇界面、試驗參數選擇界面、試驗操作及結果顯示界面和曲線顯示界面，方便快捷。

4、可實現試樣裝夾時橫梁快慢升降調整，具有過流、過壓、過載等保護裝置。。

5、選配微機接口，可外接微機實現試驗過程的控制及數據的存儲、打印。

主要技術指標：

1、 試驗力：500N；

2、 量 程: 0N-500N；

3、 試驗力準確度；優于±1%；

4、 位移分辨率：0.01mm；

5、 位移測量準確度：優于±1%；

6、 拉伸行程：600mm或1000mm（可選）

7、 壓縮行程：600mm或1000mm（可選）

8、 試驗行程：600mm或1000mm（可選）

9、 位移速度控制范圍：1mm/min～500mm/min（普通配置）

10、位移速度控制精度：優于±1%；

11、試驗機級別：優于1級

12、變形示值誤差：≤±（50+0.15L）

13、試驗機尺寸：530*266*1450或1810 mm

14、外觀：符合GB/T2611要求

15、成套性：符合標準要求

16、保護功能：試驗機有過載保護功能

17、供電電源：220V，50Hz

18、重量：150KG

拼縫莫太窄大棚薄膜都是由若干窄幅薄膜拼接而成的，在拼接時要增大粘接面積，提高粘接強度。若拼縫太窄，粘接面積小用力拉扯時就會造成裂縫。

用線壓住薄膜建大棚蓋上薄膜后，應立即用壓膜線壓住。一般每隔1—2個棚架拉一道壓膜線，線的松緊要適度，同時在迎風一面設立簡易防風障。

薄膜破損要修補薄膜在使用和保存過程中容易破損，使用中破損可采用臨時修補方法。方法有二：一是水補法，把破損處擦洗干凈，剪一塊比破損地方稍大的無破洞的薄膜，蘸上水貼在破洞上，排凈兩膜間的空氣，按平即可；二是紙補法，農膜輕度破損用紙蘸水后趁濕貼在破損處，一般可使用10天左右。

拆棚后的破損薄膜要采用修補法。質地較厚的薄膜發生破損，可用質地相同的薄膜蓋在上面，用細線密縫連接。也可把破損處洗凈，用一塊稍大的薄膜蓋住破洞，再蒙上2-3層報紙，用電熨斗沿接口處輕輕熨燙，兩膜受熱粘貼，冷卻后便會粘在一起，此法稱為熱補法。另外有膠補法，把破洞四周洗干凈，用毛刷蘸專用膠水涂抹，過3-5分鐘后，取一塊質地相同的薄膜貼在上面，膠水干后即可粘牢。熱補法和膠補法補膜效果好，縫補法不但漏氣，而且容易拉開，對質地不是較厚的薄膜不用。

不用時挖坑埋藏薄膜在收藏期間，要嚴防暴曬、煙熏、火烤，否則，其使用壽命會大大縮短。棚膜儲存方法是挖坑埋藏，生產結束后，拆下的薄膜要先洗干凈晾干，卷好后用舊薄膜包裹起來，選擇土壤干濕度適中的地方挖一個坑，然后把包裹好的薄膜放進坑內埋藏。注意，薄膜上層離地面的距離在　30厘米以上。此法可避免農膜在空氣中存放老化發脆，而縮短使用壽命。